王川: 摩尔定律还能走多远? (二)

王川在文中讨论晶体管小型化遭遇的漏电障碍，以及半导体业如何通过新结构与材料应对。他解释，栅氧化层变薄会引发量子隧穿漏电，英特尔以高介电常数材料替代二氧化硅；短沟道效应则可借助 FinFET 的多侧面栅极设计减弱，相关技术后来进入芯片生产。王川据此认为，历史上看似难以突破的限制可能找到不同解法，因此不宜仅凭当前障碍断言摩尔定律将止步。他强调，摩尔定律的核心不只是晶体管密度增长，而是在生产成本与能耗不变时持续提高计算能力；文章将继续讨论实现这一目标的其他路径，并未在此给出结论。